近日，從位于首都北京的筑夢(mèng)九州科技有限公司傳來(lái)喜訊，經(jīng)過(guò)由該公司10余年的潛心研究和反復(fù)試驗(yàn)，一種可產(chǎn)生太赫茲波并能通過(guò)波導(dǎo)效應(yīng)和分子同步共振技術(shù)賦能多種材料的能量加持裝置（波導(dǎo)艙）已經(jīng)成功問(wèn)世。并正式開(kāi)始服務(wù)化工及新材料等領(lǐng)域，標(biāo)志著太赫茲技術(shù)工業(yè)化應(yīng)用取得重大突破，該技術(shù)發(fā)明屬?lài)?guó)內(nèi)首創(chuàng)，在國(guó)際上也處于領(lǐng)先地位。

據(jù)介紹，太赫茲(THz)波是指頻率在0.1~10 THz(波長(zhǎng)為30~3000μm)范圍內(nèi)的電磁波。太赫茲(THz)波的波段能夠覆蓋半導(dǎo)體、等離子體、有機(jī)體和生物大分子等物質(zhì)的特征譜。利用該頻段可以加深和拓展人類(lèi)對(duì)物理學(xué)、化學(xué)、天文學(xué)、信息學(xué)和生命科學(xué)中一些基本科學(xué)問(wèn)題的認(rèn)識(shí)。THz技術(shù)可廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、遙感、國(guó)土安全與反恐、高保密的數(shù)據(jù)通訊與傳輸、大氣與環(huán)境監(jiān)測(cè)、實(shí)時(shí)生物信息提取以及醫(yī)學(xué)診斷等領(lǐng)域。為此，THz技術(shù)研究對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全有重大的應(yīng)用價(jià)值。

THz 是電磁波譜中最后的處女地，因其獨(dú)特的優(yōu)越性和廣泛的應(yīng)用價(jià)值而備受各國(guó)的青睞。 2004年美國(guó)政府將THz科技評(píng)為“改變未來(lái)世界的十大技術(shù)”之一，幾乎所有重要的國(guó)家實(shí)驗(yàn)室都在研究THz技術(shù)；日本更是將THz技術(shù)列為“國(guó)家支柱十大重點(diǎn)戰(zhàn)略目標(biāo)”之首，舉全國(guó)之力進(jìn)行研發(fā)；歐洲國(guó)家還利用歐盟的資金組織跨國(guó)家的多學(xué)科參與的大型THz研究項(xiàng)目；俄羅斯國(guó)家科學(xué)院還專(zhuān)門(mén)成立了太赫茲研究所，聯(lián)合各高校積極開(kāi)展THz技術(shù)研究。因此，THz技術(shù)已經(jīng)成為本世紀(jì)最為重要的新興學(xué)科之一。

我國(guó)政府也在2005年11月專(zhuān)門(mén)召開(kāi)了“香山科技會(huì)議”, 討論我國(guó)THz事業(yè)的發(fā)展方向，并制定了我國(guó)THz技術(shù)的發(fā)展規(guī)劃。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家研究機(jī)構(gòu)正在開(kāi)展太赫茲領(lǐng)域的相關(guān)研究。

據(jù)筑夢(mèng)九州公司技術(shù)總監(jiān)呂濤介紹，作為一家專(zhuān)業(yè)從事高新技術(shù)研發(fā)和推廣的科技型企業(yè)。該公司依托北京地區(qū)優(yōu)質(zhì)的科研資源，積極與有關(guān)院校等科研機(jī)構(gòu)合作，獨(dú)創(chuàng)了太赫茲工業(yè)應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)。首先成功將該技術(shù)應(yīng)用到高溫煅燒領(lǐng)域，利用太赫茲波預(yù)處理促進(jìn)燒結(jié)致密化。該技術(shù)不僅能減少8%左右的瓷磚燒結(jié)能耗，還能大大提高瓷磚的強(qiáng)度（不降低各項(xiàng)性能的前提下，可減少瓷磚20%的厚度，實(shí)現(xiàn)降本增效，成效顯著。

在硅鋼片中，氧化鎂粉主要用于絕緣涂層，高溫退火隔離劑，改善磁性能三個(gè)方面，經(jīng)太赫茲技術(shù)賦能改性后，可以顯著提升絕緣涂層性能。增強(qiáng)高溫退火隔離效果，增強(qiáng)高溫退火隔離效果，優(yōu)化磁性能，改善機(jī)械性能。通過(guò)改性，可以?xún)?yōu)化氧化鎂粉的顆粒分布和表面活性，使其在硅鋼片表面形成更均勻、致密的絕緣涂層，提高硅鋼片的絕緣性能，減少漏電現(xiàn)象，降低渦流損耗。提高涂層的附著力和耐高溫性能；細(xì)化氧化鎂粉的顆粒尺寸，提高其分散性，從而在高溫退火過(guò)程中 更有效地防止硅鋼片粘連。改善退火后硅鋼片的表面質(zhì)量；優(yōu)化氧化鎂粉的表面化學(xué)性質(zhì)，促進(jìn)硅鋼片在退火過(guò)程中形成更理想的磁疇結(jié)構(gòu)。還可以顯著降低鐵損，節(jié)能環(huán)保，提高電機(jī)和變壓器的效率；提高氧化鎂粉的活性，增強(qiáng)其與硅鋼片基體的結(jié)合力，從而改善硅鋼片的機(jī)械強(qiáng)度；增強(qiáng)硅鋼片的耐腐蝕性。更致密的絕緣涂層可以有效阻擋外界腐蝕介質(zhì)與硅鋼基體的接觸；使氧化鎂自身的化學(xué)穩(wěn)定性進(jìn)一步提高，能更有效地抵御酸、堿等腐蝕介質(zhì)的侵蝕，保護(hù)硅鋼基體不受損害。

改性氧化鎂粉還可以提高硅鋼片的絕緣性能和表面質(zhì)量，滿(mǎn)足高端電子產(chǎn)品對(duì)材料性能的嚴(yán)格要求。改性氧化鎂粉可以提高硅鋼片的機(jī)械強(qiáng)度和耐高溫性能，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

太赫茲波賦能竹炭粉后制造的竹炭板材，相較于未賦能前的傳統(tǒng)竹炭板材，在物理性能、化學(xué)活性和功能性方面均有顯著提升。賦能前，常規(guī)竹炭粉比表面積約為300-500 m²/g，孔隙結(jié)構(gòu)以微孔為主，孔徑分布不均，吸附效率受限。太赫茲波活化賦能后，竹炭的比表面積可提升至600-800 m²/g，甚至更高。太赫茲波促進(jìn)了微孔向介孔/大孔擴(kuò)展，形成多級(jí)孔結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)對(duì)甲醛、VOCs 等大分子污染物的吸附能力。吸附速率提高30%-50%，飽和吸附量增加20%以上。

力學(xué)性能方面，賦能前，普通竹炭板材的抗彎強(qiáng)度，約為15-25MPa）。耐磨性一般，易因內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散導(dǎo)致脆性。賦能后，抗彎強(qiáng)度提升至30-40MPa，太赫茲波優(yōu)化碳粉分散性及界面結(jié)合力。耐磨性提高20%-30%，因太赫茲波處理減少碳粉團(tuán)聚，增強(qiáng)與基體材料的結(jié)合密度。 

抗菌與防霉性能方面，賦能前，依賴(lài)竹炭本身的弱抗菌性（物理吸附為主，無(wú)主動(dòng)殺菌能力）。 防霉等級(jí)為GB/T 35601-2017 的Ⅱ級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。賦能后，太赫茲波激發(fā)炭粉表面官能團(tuán)（如羧基、羥基），增強(qiáng)與微生物細(xì)胞膜的相互作用，抗菌率可達(dá)90%以上（如對(duì)大腸桿菌、金黃色葡萄球菌）。 防霉等級(jí)可提升至Ⅰ級(jí)（長(zhǎng)效抑菌）。

遠(yuǎn)紅外與負(fù)離子釋放方面。賦能前，遠(yuǎn)紅外發(fā)射率，常溫下約為0.7-0.8。負(fù)離子釋放量為500-1000 個(gè)/cm³。賦能后，遠(yuǎn)紅外發(fā)射率：提升至0.85-0.95，通過(guò)太赫茲波調(diào)控碳晶格振動(dòng)模式，負(fù)離子釋放量可達(dá)2000-3000個(gè)/cm³。

熱穩(wěn)定性與阻燃性方面，賦能前，熱分解溫度約為300-350℃。氧指數(shù)（LOI）為22-24（易燃）。 賦能后，熱分解溫度提高至 400℃以上（太赫茲波促進(jìn)石墨化程度）。氧指數(shù)可達(dá)28-30難燃級(jí)別，更適用于高溫或防火要求環(huán)境。

呂濤介紹說(shuō)，目前，筑夢(mèng)九州公司先后與有關(guān)化工及新材料企業(yè)一道在浙江、河北等地成功進(jìn)行了竹炭板材、硅鋼氧化鎂等生物基、無(wú)機(jī)材料化工產(chǎn)品賦能改性工業(yè)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)，均取得良好效果，多項(xiàng)性能指標(biāo)顯著提升，研究成果表明，太赫茲技術(shù)還可用于鈦白粉、二氧化硅、碳酸鈣、涂料、腐殖酸鈉、腐殖酸鉀等化工產(chǎn)品進(jìn)行賦能改性，提高產(chǎn)品品質(zhì)。

太赫茲波改性鈦白粉，通過(guò)優(yōu)化電磁特性和表面結(jié)構(gòu)，在高頻通信、耐候性、分散性等方面顯著優(yōu)于傳統(tǒng)產(chǎn)品，尤其適用于6G技術(shù)及高端工業(yè)領(lǐng)域。其技術(shù)突破不僅提升了材料性能，還為多場(chǎng)景應(yīng)用提供了創(chuàng)新解決方案。呂濤補(bǔ)充道。

太赫茲波具有一定的熱效應(yīng)，可以使二氧化硅表面的一些化學(xué)鍵發(fā)生斷裂和重組，從而改變表面的化學(xué)結(jié)構(gòu)和活性位點(diǎn)的分布，增加表面活性基團(tuán)的數(shù)量和活性。太赫茲波的電場(chǎng)分量還可以與二氧化硅表面的電荷分布相互作用，影響表面電荷的分布和遷移。產(chǎn)生共振效應(yīng)，使分子或晶格的振動(dòng)幅度增大，導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生微小變化，如孔隙結(jié)構(gòu)的調(diào)整、表面粗糙度的改變等，從而增大比表面積，提高其在催化等領(lǐng)域的性能。太赫茲波的能量同時(shí)還可以誘導(dǎo)二氧化硅內(nèi)部產(chǎn)生缺陷，如氧空位等。改變二氧化硅的電子結(jié)構(gòu)，使其具有更高的化學(xué)活性。氧空位等缺陷可以作為吸附位點(diǎn)，增強(qiáng)對(duì)反應(yīng)物分子的吸附能力，同時(shí)也有助于電子的轉(zhuǎn)移和傳遞，從而促進(jìn)催化反應(yīng)的進(jìn)行。